SSD Lexar® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe
SSD Lexar® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe
1TB512Go
velocità di lettura sequenziale fino a 5300 MB/s, velocità di scrittura sequenziale fino a 4500 MB/s
velocità di lettura sequenziale fino a 5300 MB/s, velocità di scrittura sequenziale fino a 4000 MB/s
Standard NVMe 1.4
Controller a 12 nm
Controllo della temperatura eccellente
Features
Vivi un'esperienza di gaming ad alta velocità e lavora in modo efficiente con la SSD Lexar® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe. Progettata per gamer e professionisti con velocità fino a 5300 MB/s in lettura e 4500 MB/s in scrittura1, questa SSD offre prestazioni 9,6 volte3 superiori rispetto alle SSD SATA tradizionali. Utilizza inoltre lo standard tecnologico PCIe Gen 4x4 NVMe1.4 ed è retrocompatibile con PCIe 3.0.
Dotata di un controller a 12 nm, la SSD NM760 consuma meno energia per una durata della batteria superiore e una migliore esperienza utente.
Grazie al dissipatore opzionale, puoi avvalerti di straordinarie prestazioni senza la preoccupazione di improvvisi cali di rendimento dovuti all'alta temperatura.
La SSD NM760 è compatibile con notebook, PC, PlayStation® 5 e molti altri dispositivi; offre prestazioni elevate per l'accesso ai contenuti e il backup dello storage ad alta velocità.
A differenza delle tradizionali unità a disco rigido, la SSD NM760 non ha parti mobili ed è quindi realizzata per garantire la massima durata. In più, è robusta e affidabile grazie alla resistenza agli urti e alle vibrazioni2.
Tutti i design di prodotto Lexar sono sottoposti a test approfonditi nei laboratori di qualità Lexar, strutture con più di 1.100 dispositivi digitali, per garantire prestazioni, qualità, compatibilità e affidabilità.
Specification
Capacità
512 GB/1 TB
Fattore di forma
M.2 2280
Interfaccia
PCIe Gen4x4
Prestazioni
512GB - velocità di lettura sequenziale fino a 5300 MB/s, velocità di scrittura sequenziale fino a 4000 MB/s
IOPS: up to 400/800K
1TB - velocità di lettura sequenziale fino a 5300 MB/s, velocità di scrittura sequenziale fino a 4500 MB/s
IOPS: up to 440/900K
Temperatura di esercizio
0°C ~ 70°C
Temperatura di conservazione
-40°C ~ 85°C
Dimensioni (W x L x H)
80 x 22 x 2.45 mm / 3.15” x 0.87” x 0.10”
Peso
9g
Garantie
Garantie limitée de 5 ans
Resistente agli urti
1500 G, durata 0,5 ms, onda semisinusoidale
Resistente alle vibrazioni
10 - 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 ottava/min, 30 min/asse (X,Y,Z)
TBW
512 GB: 500 TB, 1 TB: 1000 TB
NAND flash
3D TLC
MTBF
1.500.000 ore
1 Trasferimento in lettura fino a 5300 MB/s. Velocità di trasferimento in scrittura inferiore. Velocità basata su test interni. Le prestazioni effettive sono soggette a variazione.
2 Resistente agli urti (1500 G, durata 0,5 ms, onda semisinusoidale) e alle vibrazioni (10 - 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 ottava/min, 30 min/asse (X,Y,Z)). Valore basato su test interni. Le prestazioni effettive sono soggette a variazione.
3 Confronto basato su test interni. Le prestazioni effettive sono soggette a variazione.
[Note]
* Le misure di sicurezza, per loro natura, possono essere aggirate. Lexar non garantisce la protezione assoluta dei dati da alterazione, distruzione o accesso non autorizzato.
* La capacità effettiva di memoria utilizzabile è soggetta a variazione. 1 GB è pari a 1 miliardo di byte.
* L'aspetto del prodotto, le prestazioni, le offerte software e la confezione possono variare a seconda della data di spedizione e delle scorte disponibili.
* Lexar non è responsabile della perdita di dati o di immagini.
Product Numbers
Global
Capacity
#Part
1TB
LNM760X001T-RNNNG
512GB
LNM760X512G-RNNNG
