SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760
SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760
1 TB512 GB
velocidad de lectura secuencial 5300 MB/s máx, velocidad de escritura secuencial 4500 MB/s máx
velocidad de lectura secuencial 5300 MB/s máx, velocidad de escritura secuencial 4000 MB/s máx.
Estándar NVMe 1.4
Controladora de 12 nm
Control excelente de la temperatura
Features
Con la unidad SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760, lograrás la velocidad que buscas para jugar y la eficacia que necesitas para trabajar. Diseñada para el ámbito profesional, pero también para otras aplicaciones de entretenimiento, alcanza velocidades de lectura y de escritura de hasta 5300 MB/s y 4500 MB/s 1 respectivamente, y ofrece un rendimiento 9,6 veces 3 superior al de las unidades SSD SATA tradicionales. Con tecnología PCIe NVMe1.4 Gen 4x4, también es compatible con la versión PCIe 3.0.
La controladora de 12 nm de la unidad SSD NM760 consume menos energía, lo que se traduce en una mayor duración de la batería y en una mejor experiencia del usuario.
Con el disipador de calor opcional, te olvidarás de los problemas de rendimiento asociados al sobrecalentamiento.
La unidad NM760 es compatible con una amplia gama de dispositivos, como portátiles, ordenadores o consolas PlayStation® 5. Su potente rendimiento permite hacer copias de seguridad y acceder al contenido a gran velocidad.
A diferencia de los discos duros tradicionales, la unidad SSD NM760 no tiene piezas móviles, por lo que resiste mejor el desgaste. Con una estructura resistente a golpes y vibraciones 2, estamos ante una SSD increíblemente robusta y fiable.
Todos los diseños de productos Lexar se someten a amplias pruebas en Laboratorios de calidad Lexar, instalaciones con más de 1.100 dispositivos digitales, para garantizar el rendimiento, la calidad, la compatibilidad y la fiabilidad.
Specification
Capacidad
512GB/1TB
Factor de forma
M.2 2280
Interfaz
PCIe Gen4x4
Rendimiento
512GB - velocidad de lectura secuencial: 5300 MB/s máx.
Temperatura de funcionamiento
De 0° a 70° C
Temperatura de almacenamiento
De -40° a 85° C
Dimensiones (L x An x Al)
80 mm x 22 mm x 2,45 mm (3,15" x 0,87" x 0,10")
Peso
9 g
Garantía
Garantía limitada de 5 años
Resistencia a golpes
1500 G, duración de 0,5 ms, media onda sinusoidal
Resistencia a vibraciones
De 10 a 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oct/min, 30 min/eje (X, Y, Z)
Capacidad máxima de escritural
512 GB: 500 TB, 1 TB: 1000 TB
Memoria flash NAND
TLC 3D
Promedio de funcionamiento sin fallos
1 500 000 horas
1 Velocidad de transferencia de lectura de hasta 5300 MB/s. La velocidad de transferencia de escritura es inferior. El dato sobre la velocidad se basa en pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
2 Los datos sobre la resistencia a golpes (1500 G, duración de 0,5 ms, media onda sinusoidal) y a vibraciones (de 10 a 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oct/min, 30 min/eje [X, Y, Z]) están basados en los resultados de pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
3 La comparación se basa en pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
Notas:
* Por su propia naturaleza, las protecciones de seguridad no son infalibles. Por tanto, Lexar no garantiza la seguridad total de los datos en caso de acceso no autorizado, alteración o destrucción.
* La capacidad real de la memoria útil puede variar. 1 GB equivale a 1000 millones de bytes.
* El aspecto, el funcionamiento, las ofertas de software y el embalaje del producto pueden variar en función de la fecha de envío y el inventario disponible.
* Lexar no se hace responsable de la pérdida de datos ni de imágenes.
Product Numbers
Global
Capacity
#Part
1TB
LNM760X001T-RNNNG
512GB
LNM760X512G-RNNNG
