SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760

SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760

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1 TB512 GB

velocidad de lectura secuencial 5300 MB/s máx, velocidad de escritura secuencial 4500 MB/s máx

velocidad de lectura secuencial 5300 MB/s máx, velocidad de escritura secuencial 4000 MB/s máx.

Interfaz Pcle Gen4x4
Estándar NVMe 1.4
Controladora de 12 nm
Control excelente de la temperatura

Features

Con la unidad SSD M.2 2280 NVMe PCIe Gen4x4 Lexar® NM760, lograrás la velocidad que buscas para jugar y la eficacia que necesitas para trabajar. Diseñada para el ámbito profesional, pero también para otras aplicaciones de entretenimiento, alcanza velocidades de lectura y de escritura de hasta 5300 MB/s y 4500 MB/s 1 respectivamente, y ofrece un rendimiento 9,6 veces 3 superior al de las unidades SSD SATA tradicionales. Con tecnología PCIe NVMe1.4 Gen 4x4, también es compatible con la versión PCIe 3.0.

La controladora de 12 nm de la unidad SSD NM760 consume menos energía, lo que se traduce en una mayor duración de la batería y en una mejor experiencia del usuario.

Con el disipador de calor opcional, te olvidarás de los problemas de rendimiento asociados al sobrecalentamiento.

La unidad NM760 es compatible con una amplia gama de dispositivos, como portátiles, ordenadores o consolas PlayStation® 5. Su potente rendimiento permite hacer copias de seguridad y acceder al contenido a gran velocidad.

A diferencia de los discos duros tradicionales, la unidad SSD NM760 no tiene piezas móviles, por lo que resiste mejor el desgaste. Con una estructura resistente a golpes y vibraciones 2, estamos ante una SSD increíblemente robusta y fiable.

Todos los diseños de productos Lexar se someten a amplias pruebas en Laboratorios de calidad Lexar, instalaciones con más de 1.100 dispositivos digitales, para garantizar el rendimiento, la calidad, la compatibilidad y la fiabilidad.

Specification

Capacidad

512GB/1TB

Factor de forma

M.2 2280

Interfaz

PCIe Gen4x4

Rendimiento

512GB - velocidad de lectura secuencial: 5300 MB/s máx.

Temperatura de funcionamiento

De 0° a 70° C

Temperatura de almacenamiento

De -40° a 85° C

Dimensiones (L x An x Al)

80 mm x 22 mm x 2,45 mm (3,15" x 0,87" x 0,10")

Peso

9 g

Garantía

Garantía limitada de 5 años

Resistencia a golpes

1500 G, duración de 0,5 ms, media onda sinusoidal

Resistencia a vibraciones

De 10 a 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oct/min, 30 min/eje (X, Y, Z)

Capacidad máxima de escritural

512 GB: 500 TB, 1 TB: 1000 TB

Memoria flash NAND

TLC 3D

Promedio de funcionamiento sin fallos

1 500 000 horas

1 Velocidad de transferencia de lectura de hasta 5300 MB/s. La velocidad de transferencia de escritura es inferior. El dato sobre la velocidad se basa en pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
2 Los datos sobre la resistencia a golpes (1500 G, duración de 0,5 ms, media onda sinusoidal) y a vibraciones (de 10 a 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oct/min, 30 min/eje [X, Y, Z]) están basados en los resultados de pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
3 La comparación se basa en pruebas internas
el rendimiento real puede variar.
Notas:
* Por su propia naturaleza, las protecciones de seguridad no son infalibles. Por tanto, Lexar no garantiza la seguridad total de los datos en caso de acceso no autorizado, alteración o destrucción.
* La capacidad real de la memoria útil puede variar. 1 GB equivale a 1000 millones de bytes.
* El aspecto, el funcionamiento, las ofertas de software y el embalaje del producto pueden variar en función de la fecha de envío y el inventario disponible.
* Lexar no se hace responsable de la pérdida de datos ni de imágenes.

Product Numbers

Global

Capacity

#Part

1TB

LNM760X001T-RNNNG

512GB

LNM760X512G-RNNNG

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