Lexar® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe SSD

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Lexar^® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe SSD

Kategorien: M.2 2280 PCIe Gen 4×4, SSD

1 TB512 GB

bis zu 5.300 MB/s sequenzielle Lesegeschwindigkeit, bis zu 4.500 MB/s sequenzielle Schreibgeschwindigkeit

bis zu 5.300 MB/s sequenzielle Lesegeschwindigkeit, bis zu 4.000 MB/s sequenzielle Schreibgeschwindigkeit

Pcle-Gen4x4-Schnittstelle

NVMe-1.4-Standard

12-nm-Controller

Erstklassige Temperaturkontrolle

Features

Überragende PCIe-NVMe-Gen4-Performance für Arbeit und Gaming

Hohe Geschwindigkeit bei Gaming und Arbeit mit der Lexar^® NM760 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe SSD. Mit bis zu 5.300 MB/s Lese- und 4.500 MB/s Schreibgeschwindigkeit¹ erhalten Gamer und berufliche Anwender eine 9,6-fach3 bessere Leistung als bei herkömmlichen SATA-basierten SSDs. Nutzt den NVMe-1.4-Technologiestandard PCIe Gen 4x4 und ist abwärtskompatibel mit PCIe 3.0.

Energieeffizient mit 12-nm-Controller

Die NM760-SSD verbraucht dank des 12-nm-Controllers weniger Energie – für längere Akkulaufzeit und eine bessere Benutzererfahrung.

Immer cool bleiben

Mit einem optionalen Kühlkörper erreichen Sie stets herausragende Performance ohne plötzliche Leistungsabfälle aufgrund hoher Temperaturen.

Mit zahlreichen Geräten kompatibel

Die NM760 ist umfassend mit Notebooks, PCs, PlayStation^® 5 usw. kompatibel und liefert hohe Leistung für blitzschnelle Speicher-Backups und sofortigen Zugriff auf Inhalte.

Langlebig und robust

Anders als herkömmliche Festplatten enthält die NM760-SSD keine beweglichen Teile und ist somit besonders widerstandsfähig. Darüber hinaus ist diese robuste und zuverlässige SSD stoßsicher und vibrationsbeständig².

Rigoros getestetd

Alle Lexar Produktdesigns werden in den Lexar Quality Labs, Einrichtungen mit mehr als 1.100 digitalen Geräten, umfangreichen Tests unterzogen, um Leistung, Qualität, Kompatibilität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Specification

Kapazität

512 GB/1 TB

Formfaktor

M.2 2280

Schnittstelle

PCIe Gen4x4

Leistung

512 GB - bis zu 5.300 MB/s sequenzielle Lesegeschwindigkeit, bis zu 4.000 MB/s sequenzielle Schreibgeschwindigkeit
IOPS: up to 400/800K
1TB - bis zu 5.300 MB/s sequenzielle Lesegeschwindigkeit, bis zu 4.500 MB/s sequenzielle Schreibgeschwindigkeit
IOPS: up to 440/900K

Betriebstemperatur

0 °C–70 °C

Lagertemperatur

-40 °C–85 °C

Abmessungen （L x W x H）

80 x 22 x 2,45 mm / 3,15 x 0,87 x 0,10 Zoll

Gewicht

Garantie

Fünf Jahre eingeschränkte Garantie

Stoßsicher

1.500 G, 0,5 ms Dauer, halbe Sinuswelle

Vibrationsbeständig

10–2.000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oktave/Min., 30 Min./Achse (X,Y,Z)

TBW

512 GB: 500 TB, 1 TB: 1.000 TB

NAND flash

3D TLC

MTBF

1.500.000 Stunden

¹Bis zu 5.300 MB/s Lesegeschwindigkeit. Schreibgeschwindigkeit ist niedriger. Geschwindigkeit basierend auf internen Tests. Die tatsächliche Leistung kann abweichen.
²Stoßsicher (1.500 G, 0,5 ms Dauer, halbe Sinuswelle) und vibrationsbeständig (10–2.000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oktave/Min., 30 Min./Achse (X,Y,Z)). Basierend auf internen Tests. Die tatsächliche Leistung kann abweichen.
^{3^{Vergleich basierend auf internen Tests. Die tatsächliche Leistung kann abweichen.
[Hinweis]

*Sicherheitsmaßnahmen können naturgemäß umgangen werden. Lexar übernimmt keine Garantie, dass Daten zu 100 % vor unbefugtem Zugriff, Änderungen oder Löschung geschützt sind.
*Die tatsächlich nutzbare Arbeitsspeicherkapazität kann abweichen. 1 GB entspricht 1 Milliarde Byte.
*Aussehen, Leistung, Softwareangebote und Verpackung des Produkts können je nach Versanddatum und verfügbarem Bestand variieren.
*Lexar übernimmt keinerlei Haftung für Daten- oder Bildverlust.}}

Product Numbers

Global

Capacity

#Part

1TB

LNM760X001T-RNNNG

512GB

LNM760X512G-RNNNG

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